Galyum nitrür (GaN) transistör
Gallium nitride transistor
Silisyumdan çok daha hızlı anahtarlanan, aynı dirençte daha küçük ve daha az kapı yükü olan güç transistörü.
Anahtarlama kaybı küçük olduğu için yüksek frekansta çalışabilir; bu da giriş kondansatörünü ve kartı küçültür. Endüktansı düşük çerçevesiz motorlarda akım dalgalanmasını azaltmak için insansı robot eklemlerinde öne çıkar. Bedeli, MOSFET sürücü devresinin ve kart yerleşiminin çok daha hassas olmasıdır.
Sayıyla
Silisyum MOSFET'li bir eklem sürücüsü 20 ile 40 kHz'de çalışırken GaN ile 100 kHz civarı mümkün olur. Periyot 50 µs'den 10 µs'ye iner.